HIGH-SPEED 3.3V
32K x 8 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT70V07S/L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
High-speed access
Low-power operation
Interrupt Flag
Features
access of the same memory location
– Commercial: 25/35/55ns (max.)
– Industrial: 25/35ns (max.)
– IDT70V07S
Active: 300mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V07L
Active: 300mW (typ.)
Standby: 660 μ W (typ.)
Functional Block Diagram
OE L
CE L
R/ W L
IDT70V07 easily expands data bus width to 16 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
M/ S = V IH for BUSY output flag on Master
M/ S = V IL for BUSY input on Slave
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Available in 68-pin PGA and PLCC, and a 80-pin TQFP
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
OE R
CE R
R/ W R
I/O 0L - I/O 7L
I/O
Control
I/O
Control
I/O 0R -I/O 7R
,
BUSY L
BUSY R
(1,2)
(1,2)
A 14L
A 0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A 14R
A 0R
15
15
I NT L
SEM L
(2)
CE L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
M/ S
CE R
OE R
R/ W R
SEM R
INT R (2)
2943 drw 01
NOTES:
1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.
2. BUSY and INT outputs are non-tri-stated push-pull.
?2012 Integrated Device Technology, Inc.
1
JANUARY 2013
DSC 2943/9
相关PDF资料
IDT70V08S15PF IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP
IDT70V09L20PFI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IDT70V18L20PFI IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP
IDT70V25L55G IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA
IDT70V261L25PFGI IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
IDT70V26L35G IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA
IDT70V27S15PF IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP
IDT70V28L20PFGI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
相关代理商/技术参数
IDT70V07L35J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V07L35J8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V07L35PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V07L35PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V07L35PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP
IDT70V07L35PFGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP
IDT70V07L55G 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V07L55J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8